Tha easbhaidhean pacaidh sa mhòr-chuid a’ toirt a-steach deformachadh luaidhe, cuir an aghaidh bonn, warpage, briseadh chip, delamination, beàrnan, pacadh neo-chòmhnard, burrs, gràinean cèin agus leigheas neo-choileanta, msaa.
1. Deformation luaidhe
Mar as trice bidh deformachadh luaidhe a’ toirt iomradh air an gluasad luaidhe no an deformachadh a dh’ adhbhraicheas rè sruthadh sealant plastaig, a tha mar as trice air a chuir an cèill leis a’ cho-mheas x/L eadar an gluasad luaidhe fadalach as àirde x agus an fhad luaidhe L. Faodaidh lùbadh luaidhe leantainn gu geàrr-chunntasan dealain (gu sònraichte). ann am pasganan inneal I / O àrd-dùmhlachd).Aig amannan faodaidh an cuideam a thig bho lùbadh leantainn gu sgàineadh a’ phuing ceangail no lùghdachadh ann an neart ceangail.
Am measg nam factaran a bheir buaidh air ceangal luaidhe tha dealbhadh pacaid, cruth luaidhe, stuth luaidhe agus meud, cumadh thogalaichean plastaig, pròiseas ceangail luaidhe, agus pròiseas pacaidh.Tha paramadairean luaidhe a bheir buaidh air lùbadh luaidhe a’ toirt a-steach trast-thomhas luaidhe, fad luaidhe, luchd brisidh luaidhe agus dùmhlachd luaidhe, msaa.
2. Co-dhùnadh bunait
Tha bun-stèidh a’ toirt iomradh air deformachadh agus cuir dheth an neach-giùlain (bunait chip) a bheir taic don chip.
Am measg nam factaran a bheir buaidh air gluasad bun-stèidh tha sruthadh an t-saimeant molltair, dealbhadh co-chruinneachadh frèam luaidhe, agus feartan stuthan an cumadh cumadh agus frèam luaidhe.Tha pacaidean leithid TSOP agus TQFP buailteach do ghluasad bonn agus deformachadh prìne air sgàth na frèaman luaidhe tana aca.
3. Warpage
Is e Warpage an lùbadh taobh a-muigh plèana agus deformachadh an inneal pacaid.Faodaidh duilleag-cogaidh air adhbhrachadh leis a’ phròiseas cumadh leantainn gu grunn chùisean earbsachd leithid delamination agus sgàineadh chip.
Faodaidh warpage cuideachd grunn dhuilgheadasan saothrachaidh adhbhrachadh, leithid ann an innealan raon-clèithe ball plastaigeach (PBGA), far am faod warpage leantainn gu droch coplanarity ball solder, ag adhbhrachadh duilgheadasan suidheachaidh nuair a bhios an inneal ag ath-shreabhadh airson a cho-chruinneachadh gu bòrd cuairteachaidh clò-bhuailte.
Tha pàtrain duilleag-cogaidh a’ toirt a-steach trì seòrsaichean de phàtranan: cuasach a-staigh, dà-thaobhach a-muigh agus còmhla.Ann an companaidhean semiconductor, thathas uaireannan a’ toirt iomradh air concave mar “aghaidh gàire” agus convex mar “cry face”.Tha na prìomh adhbharan airson warpage a’ toirt a-steach mì-chothromachadh CTE agus lughdachadh leigheis / dùmhlachd.Cha d’ fhuair an fheadhainn mu dheireadh mòran aire an toiseach, ach nochd sgrùdadh domhainn gu bheil crìonadh ceimigeach den todhar cumadh cuideachd a’ cluich pàirt chudromach ann an cogadh inneal IC, gu sònraichte ann am pasganan le tiugh eadar-dhealaichte air mullach is bonn a’ chip.
Rè a’ phròiseas ciùraigidh agus iar-leigheas, thèid an todhar molltair a dhol tro crìonadh ceimigeach aig teòthachd ciùraidh àrd, ris an canar “crìonadh teirmeach-cheimiceach”.Faodar an crìonadh ceimigeach a tha a 'tachairt aig àm ciùraidh a lùghdachadh le bhith ag àrdachadh teòthachd gluasaid glainne agus a' lùghdachadh an atharrachaidh ann an co-èifeachd leudachadh teirmeach timcheall air Tg.
Faodaidh warpage cuideachd a bhith air adhbhrachadh le factaran leithid co-dhèanamh an t-saimeant molltair, taiseachd anns a’ chumadh cumadh, agus geoimeatraidh a’ phacaid.Le bhith a’ cumail smachd air an stuth molltair agus an sgrìobhadh, paramadairean pròiseas, structar pacaid agus àrainneachd ro-chòmhdachaidh, faodar warpage pacaid a lughdachadh.Ann an cuid de chùisean, faodar warpage a dhìoladh le bhith a’ toirt a-steach taobh cùil a’ cho-chruinneachadh dealanach.Mar eisimpleir, ma tha na ceanglaichean taobh a-muigh de bhòrd ceirmeag mòr no bòrd ioma-fhilleadh air an aon taobh, faodaidh iad a bhith gan còmhdach air an taobh chùil a ’lughdachadh warpage.
4. Briseadh chip
Faodaidh an cuideam a thig bhon phròiseas pacaidh leantainn gu briseadh chip.Mar as trice bidh am pròiseas pacaidh ag àrdachadh na meanbh-sgàinidhean a chaidh a chruthachadh sa phròiseas cruinneachaidh roimhe.Tha tanachadh wafer no sliseag, bleith taobh cùil, agus ceangal chip uile nan ceumannan a dh’ fhaodadh leantainn gu sgàinidhean.
Chan eil sgiob sgàinte, air fàiligeadh gu meacanaigeach, gu riatanach a’ leantainn gu fàilligeadh dealain.Bidh co-dhiù a dh’ adhbhraicheas briseadh chip fàilligeadh dealain sa bhad den inneal cuideachd an urra ri slighe fàs sgàineadh.Mar eisimpleir, ma nochdas an sgàineadh air taobh cùil a 'chip, is dòcha nach toir e buaidh air structaran mothachail sam bith.
Leis gu bheil wafers silicon tana agus brisg, tha pacadh aig ìre wafer nas buailtiche do bhriseadh chip.Mar sin, feumar smachd teann a chumail air paramadairean pròiseas leithid cuideam clampaidh agus cuideam gluasaid molltair anns a’ phròiseas cumadh gluasaid gus casg a chuir air briseadh chip.Tha pacaidean cruachan 3D buailteach do bhriseadh chip mar thoradh air a’ phròiseas cruachadh.Tha na feartan dealbhaidh a tha a’ toirt buaidh air briseadh chip ann am pasganan 3D a’ toirt a-steach structar stac chip, tiugh substrate, meud molltair agus tiugh muilne molltair, msaa.
Ùine puist: 15-15-2023